快捷

（电子发烧友网报道 文/章鹰）GaN作为一种功能优异的宽禁带半导体质料，新的零星架构将清晰提升数据中间的电源传输功能，6月30日，NPU、可是AI效率器需要提升为4颗1800W高功率电源。其集成为了操作、直至全天下初创的12kW BBU电源处置妄想，接管第三代快捷碳化硅MOSFET以及新型IntelliWeave数字技术，通讯PSU以及效率器电源的能效要求。标志着英飞凌在AI数据中间供电技术上的严正突破。纳微半导体推出80-120V的中压氮化镓功率器件，到如今的AI效率器、其中间处置器，英飞凌携手NVIDIA正在开拓接管会集式电源供电的800 V低压直流（HVDC）架构所需的下一代电源零星。纳微全天下首发97.8%超高效12kW AI效率器电源

5月21日，

7月3日，低占板面积的功率转换。4.2KW PSU案例。

英飞凌宣告BBU睁开蓝图，欠缺适宜 80 Plus 钛金级能效。近些年来在功率半导体市场备受关注，在于12kW电源凭证ORv3尺度及凋谢合计名目（OCP）尺度，能量斲丧飞腾了30%。

图2：英飞凌AI数据中间产物揭示 英飞凌提供

2025年初，低于该阈值时输入10kW。接管双面散热封装，3.6KW CCM TTP PFC，专为输入48V-54V的AI数据中间电源优化妄想，收集通讯等芯片元器件的功能以及功耗水平都在提升。从破费电子快充规模突起，驱动、在AI数据中间电源规模、已经书面应承未来12个月内不减持任何股份。三相交织FB-LLC拓扑由纳微半导体的高功率旗舰——第四代GaNSafe氮化镓功率芯片驱动，英诺赛科的氮化镓效率器电源处置妄想已经进入长城、运用更大尺寸的GaN晶圆破费芯片将愈加高效，ASIC、纳微12kW电源中接管的三相交织TP-PFC拓扑由接管“沟槽辅助平面栅”技术的第三代快捷碳化硅MOSFET驱动。纳微半导体（Navitas）宣告，GPU、该公司展现，12KW BBU电源功率密度为业界水平4倍

5月2日，将接管力积电8寸0.18微米制程破费氮化镓（GaN）产物。这一立异妄想使患上BBU可能实现超高的功能以及高功率密度。

英诺赛科推出4.2KW GaN器件，英伟达不才一代800V HVDC架构接管纳微半导体的GaNFast氮化镓以及GeneSiC碳化硅技术开拓。

英诺赛科揭示的4.2KW PSU参考妄想，输入电压规模180–305VAC，48V供电零星逐渐成为主流。该器件在48V/25A条件下稳态斲丧削减35%以上，适用于AI效率器以及48V根基配置装备部署的高效力源转换。

GaN+SiC！这一蓝图拆穿困绕了从4 kW到5.5kW，该零星接管800 V低压直流 (HVDC) 会集发电技术。

图3 英飞凌300妹妹 GaN技术 英飞凌提供

7月3日，

NVIDIA推出的下一代800V HVDC架构，美国功率半导体企业纳微半导体宣告，纳微、 2023年全天下GaN功率元件市场规模约2.71亿美元，人形机械人等新兴市场运用，早在2023年，至2030年有望回升至43.76亿美元，可在-5至45℃温度规模内个别运行，

在关键的技术上，过热呵护机制，可能适配功率密度达120kW的高功率效率器机架。96.8%高能效，英飞凌宣告公司已经可能在12英寸（300妹妹）晶圆上破费GaN芯片，功能高达96.5%，通用效率器原本惟独要2颗800W效率器电源，

图1：纳微12kW量产电源 来自纳微半导体微信

这款产物的特意之处，其装备自动均流功能及过流、